jbl音响维修正负温管揭秘 探讨MOS管在功放中的应

　　MOS管和三极管的区别；MOS晶体管是压控器件，只需少量Qg驱动电流就能激活。三极管是电流驱动的器件。B电流越大，IC越大。...

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　　MOS管和三极管的区别；MOS晶体管是压控器件，只需少量Qg驱动电流就能激活。三极管是电流驱动的器件。B的电流越大，IC就越大。

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　　MOS有什么好的？好的方面是它目前的控制能力。同样是15A的电子管，三极管要达到15A的输出，有可能Ib达到1或者2A(放大倍数不是线性的)。这给驾驶阶段带来了很大的压力。 MOS不会，但是可以应付同样的Qg充电电流。而且MOS的过载能力很强，在瞬态下Id会达到额定值的10倍而不会烧坏。

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　　以下是短路测试波形，此时是正温度系数MOS管的最大电流(取决于Vgs的大小):

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　　现在音频用的功率MOS分为正、负温度管，比如K1058就是负温度管。温度越高，相同Vgs获得的ID越小。IRFP240等。是正温度管。温度越高，Vgs的起始电压越低，相同Vgs下获得的ID越大。 (但温度越高，耗散功率越小，可控电流越小。)

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　　那么这两个mo在音频应用上有什么区别呢？

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　　负温度管会自动补偿温度，所以不需要温度补偿。还有一个好处是，即使灯管不匹配，也可以直接并联工作，对性能不会有太大影响。在A类下，不会出现断管，电流会因为各管温度不均衡而均衡。因为负温度管的电流会随着温度的影响而减小，所以当有高能声三星音响常见问题音时，晶圆的热量瞬间上升然后电流减小，导致脚软。 音色松而散，中高音不错。如果你想得到一个更好的低音，你必须大量管理它。

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　　暖管不太好伺候。它对温度非常敏感。当温度变化一到两次时，Vgs变化很大。在100度的温差下，Vth(导通电压)存在超过1V的差异。太恐怖了。配管时，长时间持有匹配的Vth是不对的。你不能保证每根管子的温度都一样，所以你也不能保证你匹配的管子是匹配的。但正因为是常温下，电流控制能力超强，能量源源不断的送到喇叭里，所以动态犀利。 因为MOS的输入特性和电容是一样的，可以过滤掉音频的毛刺，让声音更加圆润。它相当于MOS。

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　　以下是MOS的输入特性。

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　　MOS结构:MOS是由小晶片单元并联而成，晶片和铜基通过银桨键合，MOS管内部等。

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　　MOS晶体管与三极管的匹配精度要求不同，三极管的BE极电压在100度内变化率在20-40mv之间(1mA下测试)。得胜takstar音响修理但MOS管的GS间电压变化率在100度变化范围内为1V ~ bluesound音响维修1.4V(同样在1mA下测试)。相隔太远，两者根本无法按照同一个标准配对。

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　　那么，MOS和三极管配对有什么区别呢？

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　　对于三极管配对，除了外部放大倍数，BE极配对要准确，而且越准确越好，尤其是差分应用。(如果精度高，可以去掉差分输入的两个发射极电阻，会影响速度)。然而，三极管的BE配对并不容易。最好配对到0.001V左右 但是MOS晶体管的配对并不简单，比如Vth配对(导通电压)，Vplateau配对(平台电压和跨导)，Qgon(总电荷)，Qgd(米勒反馈电荷)。

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　　Vth配对，1，虽然可以将Vth配对到0.001V左右，但是这个电压值对MOS没有意义，因为MOS对温度相当敏感。把MOS拿在手里，然后测试它。该电压漂移了10mV以上。2.测试Vth也有要求。根据美国标准，需要用0.25mA进行测试。这是因为需要测量第一个导通的MOS单元的最低电压，但如果用于MOS配对和音频，这是不实际的，因为第一个导通的MOS单元的电压在我们的应用中不能真正对应所需的Vth，也就是说，在匹配管的应用中存在差异。 实验表明，用1mA测量Vth是理想的。

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　　Vplateau配对，平台电压能真实反映器件的跨导，即栅极的V值多少对应漏极上的电流。这个也是有要求的。电流越小，曲线重合度越高，电流越大，重合度越差。所以匹配精度高的管在小电流下可以测量，但应用时有偏，即不适合小电流下匹配。小电流和大电流的界限在哪里？比如IRFP140，100V，30A的器件，如果小于5A就是小电流。

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　　为什么需要用这么大的电流测试？我们用的时候并不总是需要这么大的电流。

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　　大电流测试是让器件瞬间发热(同样的测试时间，正常器件产生同样的热量)。MOS管的应用与管耗即热阻有关。器件发热越大，可控电流越小，功率越小。比如这款IRFP140，每度功率下降系数1.2W，25度最雅马哈YAMAHA音响维修大功率180W。当晶圆上升到125度时，功率只有60W。不要觉得125度太高，你在散热片上能摸到的温度也就五六十度(看你用什么绝缘垫片，用什么尺寸的散热片)。

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　　因为和温度关系很大，测试时器件工作在大电流下，瞬间的温升无法正常从晶圆传递到铜基(由于晶圆和铜基之间键合的银桨中含有气泡)。晶圆温度大幅上升，导致可控电流下降。 所以小电流测试可以很好的匹配，温度升高，电流升高，这些成对的灯管就会变得不匹配。

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　　那么，理想的测试配对电流是多少呢？

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　　测试证明它在参数电流的一半和三分之二之间。如果太低，配管就没意义了。太高的话很难配管。那么，既然温度对MOS非常敏感，那我们是不是可以加热一下，然后测试配对呢？岂不是更好？这是一个好主意，但是你不能保证你测试的每个试管的温度都是一样的，所以你不能匹配成对的试管。

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　　MOS管的适用温度是多少？

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　　温度恒定后，最好保证晶圆的温度不超过125度，也就是铜基座的温度在105度左右，热沉在50-70度(取决于使用的绝缘垫片，绝缘垫片的好坏直接影响器件的散热。和散热器的尺寸)。高于该温度，管道配对开始下降。

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　　MOS管的精度主要在温度上，因为它随温度变化太大。 导通电压Vth和跨导电压Vplateau的精度在0.01V已经很高了，再高就没意义了。

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　　Qgon配对:Qgon表示在预定电流下开启设备所需的电荷量。同样的电荷量，开启时间一样，没有相移。

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　　Qgd配对:Qgd表示密勒反馈的电荷量相同，即开启过程中Vdain上的dv/dt。

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　　MOS的应用及要领:我们先来了解一下Qg是什么。从Qg的波形可以看出这个器件的应用！g表示栅极电荷，即栅极电荷。我们知道MOS是压控器件，Gate可以通过施加电压来控制器件导通。 这只是一个静态的陈述。实际上，栅极与源极和漏极之间会存在电容状态。Gate的控制电压不能马上加载，而是像电容一样充到一定电压，器件就开启了。 罗兰roland音响无反应 因此，器件的Qg直接影响其开关速度。

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　　有人会问，那不是Qg越小越好吗？当然，小Qg是好事，这意味着这个设备会很快，但事情永远不会完美。做工差的器件虽然Qg小，但是米勒反馈频率高，容易振荡。

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　　g每个参数对应的波形位置

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　　雪崩测试原理以及MOS为什么要在出厂前做雪崩测试；

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　　雪崩测试原理

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　　器件的雪崩波形不佳

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